富士通发布8Mb FRAM内存：读写寿命100万亿次

富士通(确切地说是富士通半导体内存解决方案有限公司)今天宣布，推出全新的8Mb FRAM内存，容量翻番，并支持并行接口，读写寿命第一次做到了100万亿次！

FRAM就是铁电存储器，一种随机存取存储器，拥有SRAM、DRAM级别的读取速度和寿命，而且是非易失性的，断电不丢失数据。

它的缺点是容量密度做不大，因此不可能彻底取代DRAM、SRAM，但在一些对容量没有过高要求、对寿命/速度敏感的场景和设备上非常合适，尤其是高速工业场景。

其实，铁电存储技术不是新鲜玩意儿，1921年就有了这一概念。虽然直到1993年才由美国RAmtron公司开发出第一个4Kb FRAM产品，但近些年来已经得到了广泛应用。

富士通最新的MB85R8M2TA FRAM具备兼容SRAM的并行接口，供电电压范围1.8-3.6V，拥有超长读写寿命的同时，比以往产品访问速度快了约30％，快页模式下访问速度仅25ns，持续传输率媲美SRAM。

同时功耗也更低，最大写入电流只需18mA(毫安)，最大待机电流更是150uA(微安)，分别降低了10％、50％，

它采用了44针的TSOP封装，和上代4Mb FRAM一样保持兼容，还新增了48针的FBGA封装。

富士通8Mb FRAM内存现已提供评估样品，量产时间未公布。

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转自 https://news.mydrivers.com/1/796/796941.htm