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美光发布基于 G9 架构的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储芯片

今天,美光宣布为智能手机推出全球首款基于 G9 的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储解决方案,从而实现更多的设备上人工智能功能。 在美光的 1y LPDDR5X 芯片于 2026 年初上市后不久,新的存储芯片将在旗舰产品上推出。

美光发布基于 G9 架构的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储芯片

UFS 4.1 和 UFS 3.1 移动存储芯片基于美光的 G9 工艺节点,具有更高的能效和读写速度。 芯片的容量在 256GB 和 1TB 之间,适用于超薄和可折叠智能手机。

不过,除了硬件方面的改进,美光还承诺在软件方面进行一些调整,以提升用户体验并改善一些人工智能任务的性能。

例如,UFS 4.1 存储解决方案支持 Zoned UFS,提高了读写效率,减少了写入放大,而数据碎片整理则将 UFS 设备内部的数据重新定位和碎片整理提高了 60%。 Pinned WriteBooster 可使位于 WriteBooster 缓冲区的数据访问速度提高 30%。 智能延迟跟踪器可通过分析延迟日志自动进行调试。 最后一项功能同样适用于 UFS 3.1,而其他功能似乎是 UFS 4.1 芯片独有的。

转自 美光发布基于 G9 架构的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 存储芯片

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