第一次EUV极紫外光刻！Intel 4工艺官宣大规模量产

Intel官方宣布，已经开始采用EUV极紫外光刻技术，大规模量产Intel 4制造工艺。

这是Intel首个采用EUV生产的制程节点，对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。

Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。

关于Intel 4工艺更详细的技术介绍，可参考——《Intel史上最大变革！酷睿Ultra架构、技术深入解读》

目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。

其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。

Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。

明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。

Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。

此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件（PDK）。