AMD 3D V-Cache RAM的读写速度分别超过182和175GB/s

AMD 的 3D V-Cache 技术利用堆叠在 CPU 内核所在的 CPU 逻辑芯片顶部的 SRAM 块，允许处理器访问大量缓存池以进行应用。不过，将这种额外的三级（L3）缓存用作内存盘似乎也是可行的，L3 SRAM 的行为类似于存储驱动器，不过测试中只有将 L3 暴露在 CrystalDiskMark 基准下才有可能做到这一点，而现实世界中的应用程序则无法以 CrystalDiskMark 的方式做到这一点。

根据 X/Twitter 用户 Nemez（@GPUsAreMagic）的说法，复制此程序的步骤如下： 获取带有 3D V-Cache 的 AMD Ryzen CPU，安装 OSFMount 并创建一个 FAT32 格式的 RAM 磁盘，然后运行 CrystalDiskMark，将值设置为 SEQ 256 KB、队列深度 1、线程 16，数据填充为 0 而不是随机。

实验结果看起来相当惊人，因为 L3 SRAM 的特性是内存很小，但速度非常快，CPU 可以访问，因此它可以在进入系统 RAM 之前帮助本地加载数据。使用 AMD Ryzen 7 5800X3D，该内存盘的读取速度超过 182 GB/s，写入速度超过 175 GB/s。在阿尔伯特-托马斯（@ultrawide219）分享的另一项测试中，我们看到了基于 AMD Ryzen 7800X3D V-Cache 的 RAM 磁盘，读取速度超过 178 GB/s，写入速度超过 163 GB/s，得分稍低。同样，CrystalDiskMark 仅在 16 MiB 和 32 MiB 之间的小分配上进行了这些测试，因此实际工作负载还无法使用这些测试。

转自 AMD 3D V-Cache RAM的读写速度分别超过182和175GB/s-今日头条 (toutiao.com)